所謂濺鍍法是指半導體或FPD製造中，廣泛被使用之膜製造技術之一，由數十nm到數μm， 為製作非常均等薄膜的方法。濺鍍法的原料中，金屬或陶瓷等的靶材常被使用。濺鍍法是使氬離子撞擊靶材，使原子(分子)釋放出而於基板上形成薄膜。如ITO或錳一樣高融點的材料，是一種可以形成化合物薄膜並使之均等成膜之優異技術。
所謂ITO(氧化銦錫)是代表性透明導電薄膜材料的一種，為現在製造FPD(平面面板顯示器)的必要材料之一。由於是兼具透明及導電之一種原料，在FPD的運用上，LCD，PDP，有機EL，TOUCH PANEL中被廣泛使用，且是必用之材料之一。還有，部分薄膜系太陽電池，LED中也被使用。一般的ITO用濺鍍法，以薄膜形式來被使用。膜的基本特性是，可視透光率90%以上，阻抗率0.2mΩ-cm，耐久性也很優異，FPD用透明導電薄膜有90%以上是使用ITO。
